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        產品導航
        當前位置: 首頁 產品中心 可靠性測試設備 動態老化測試系統 動態老化測試系統 高溫動態反偏老化測試系統 (DHTRB2000)

        高溫動態反偏老化測試系統(DHTRB2000)

        該系統針對SiC MOSFET進行動態反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個試驗區域可進行最高12個工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置??蔀槠骷峁?10°C-175°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

        功能
        • nA級漏電流測試
        • 可根據不同器件封裝、功率等要求,定制專用老化測試板
        • 充分的實驗員人體安全考慮設定
        產品特性

        試驗溫度

        室溫+10°C~175°C (熱板形式加熱)

        老化測試區

        8區(可擴容)

        單區工位

        12 (典型)

        試驗方法

        主動式:Vgs = Vgs off被動式:Vgs,off = VGS,min and VGS,on = VGS,max

        電壓范圍

        50V~1500V

        電壓精度

        1.脈沖頻率(方波):5KHZ~200kHz;精度:2%±2LSB

        2.方波占空比20%~80%;精度:±2%
        3.電壓上升率(Dv/Dt) ≥50V/ns
        4.電壓過沖<15%

        脈沖控制

        1.脈沖頻率(方波):5kHz~200kHz;精度:2%±2LSB

        2.方波占空比20%~80%;精度:±2%

        3.電壓上升率 (Dv/Dt) ≥50V/ns

        4.電壓過沖<15%

        VGS電壓測控范圍-0.7V~-22V/0V

        漏電流檢測 

        檢測范圍:100nA~30mA

        精度:

        第一檔0.1uA~1mA 分辨率0.1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        整機供電

        三相AC380V±38V

        整機重量 

        700KG(典型)

        整機尺寸(典型) 

        800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

        適用標準

        AEC-Q102 AOG324

        適用器件

        適用于二極管、三極管、MOSFET管、達林頓管、可控硅等,SIC、GAN、SCR等

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